MJE13007 SL
Производитель Номер продукта:

MJE13007 SL

Product Overview

Производитель:

Central Semiconductor Corp

Номер детали:

MJE13007 SL-DG

Описание:

TRANS NPN 400V 8A TO220-3
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 8 A 4MHz 80 W Through Hole TO-220-3

Инвентаризация:

12975768
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

MJE13007 SL Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Central Semiconductor
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
8 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
400 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
3V @ 2A, 8A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
1mA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
8 @ 2A, 5V
Мощность - Макс
80 W
Частота - переход
4MHz
Рабочая температура
-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Комплект устройства поставщика
TO-220-3

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
1514-MJE13007SL

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microchip-technology

MNS2N3501P

TRANS NPN 150V 0.3A TO39

diotec-semiconductor

BCP56-16-AQ

BJT, SOT-223, 80V, 1000MA, 0

renesas-electronics-america

2SA1443(1)-S6-AZ

10A, 100V, PNP

sanyo

2SC4671-AN

NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON